一種大功率IGBT多功能封裝結(jié)構(gòu)及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010489055.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111627874B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN111627874B 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L23/367;H01L23/38;H01L23/31;H01L21/48;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新強;潘慶波;李娜;楊玉珍;劉文;王丕龍 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馬尚偉
地址 266000 山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號10號樓7樓713室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種大功率IGBT多功能封裝結(jié)構(gòu)及其方法，包括基板，所述基板的頂部設(shè)置有IGBT模塊，所述基板的底部設(shè)置有連接塊，通過設(shè)置連接塊、第一絕緣板、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、第一導(dǎo)電塊、第二導(dǎo)電塊和第二絕緣板，并在連接塊內(nèi)部填充散熱硅脂加強第一絕緣板與基板的貼合程度，第一導(dǎo)電塊通過第一導(dǎo)線連接發(fā)射極引線，第二導(dǎo)電塊通過第二導(dǎo)線連接集電極引線，在IGBT模塊通電后，第三導(dǎo)電塊與第一導(dǎo)電塊和第二導(dǎo)電塊處形成珀爾帖效應(yīng)，第三導(dǎo)電塊處的溫度降低，第一導(dǎo)電塊和第二導(dǎo)電塊的溫度升高，通過散熱塊和散熱片將溫度傳遞出去，從而使大功率IGBT多功能封裝結(jié)構(gòu)具有了主動散熱的功能，使IGBT模塊能快速降溫的效果。