一種超薄襯底外延生長裝置及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110827150.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113529165A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113529165A 申請公布日 2021-10-22
分類號 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王新強;楊玉珍;王丕龍;張永利;趙旺;朱建英 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉丹
地址 266000山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號10號樓7樓713室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于外延生長裝置技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種超薄襯底外延生長裝置及制備方法，包括裝置主體，裝置主體的呈立方體結(jié)構(gòu)，且左右兩側(cè)方分別設(shè)置有進氣口和出氣口，裝置主體內(nèi)壁四周且靠近進氣口和出氣口處設(shè)置有一圈凸緣，凸緣頂部并排設(shè)置有兩塊凹透鏡，兩塊凹透鏡將裝置主體內(nèi)部分割為上下兩個部分，一種超薄襯底外延生長設(shè)備的制備方法，包括以下步驟：步驟一、將晶圓底襯放入支撐拖架內(nèi)，并使所述支撐拖架旋轉(zhuǎn)；步驟二、通過驅(qū)動電動伸縮桿調(diào)整調(diào)域加熱裝置照射加熱所述晶圓底襯，使得兩個所述調(diào)域加熱裝置的照射面積一之和正好覆蓋整個所述晶圓底襯表面，從而使得晶圓底襯的受熱更加的均勻，使得外延生長厚度更加的均勻。