一種超薄襯底外延生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121665698.0 申請日 -
公開（公告）號 CN215440758U 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN215440758U 申請公布日 2022-01-07
分類號 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王新強;楊玉珍;王丕龍;張永利;趙旺;朱建英 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉丹
地址 266000山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號10號樓7樓713室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于外延生長裝置技術(shù)領(lǐng)域，本實用新型提供了一種超薄襯底外延生長裝置，包括裝置主體，裝置主體的呈立方體結(jié)構(gòu)，且左右兩側(cè)方分別設(shè)置有進氣口和出氣口，裝置主體內(nèi)壁四周且靠近進氣口和出氣口處設(shè)置有一圈凸緣，凸緣頂部并排設(shè)置有兩塊凹透鏡，兩塊凹透鏡將裝置主體內(nèi)部分割為上下兩個部分，本實用新型通過在調(diào)域加熱裝置底部設(shè)置凹透鏡，通過凹透鏡將電加熱燈一的點光源通過折射轉(zhuǎn)化為近似平行光源的方法，盡量減少由于電加熱燈一的電磁波一疊加的影響使晶圓底襯中心區(qū)域溫度高于其他區(qū)域的問題，從而使得晶圓底襯的整體溫度趨于平均，提高外延生長的后的均勻度，從而提高產(chǎn)品處的芯片質(zhì)量和成品率。