一種碳化硅單晶體生長裝置及其方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010422243.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111501095B 公開（公告）日 2021-03-05
申請公布號 CN111501095B 申請公布日 2021-03-05
分類號 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王新強;王丕龍;潘慶波;楊玉珍;劉文 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導體有限公司
代理機構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郝雅娟
地址 266000山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號10號樓7樓713室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅單晶體生長裝置及其方法，包括反應(yīng)裝置組件、提升裝置組件和氣壓控制組件，在氣壓控制組件內(nèi)設(shè)置調(diào)節(jié)裝置組件，第一氣泵將惰性氣體充入儲氣瓶，第三感應(yīng)線圈對惰性氣體進行加熱，開啟第一控制閥將儲氣瓶內(nèi)加熱的惰性氣體輸入到裝置內(nèi)部，改善了現(xiàn)有的PVT法溫度場變化導致的晶體生長缺陷過多的問題，在提升裝置組件中設(shè)置電機、減速機、連接塊、絲桿、第二斜面齒輪和第三斜面齒輪，電機帶動第三斜面齒輪轉(zhuǎn)動，第三斜面齒輪帶動第二斜面齒輪轉(zhuǎn)動，第二斜面齒輪嚙合絲桿，絲桿帶動連接塊向上運動，連接塊帶動籽晶托平臺裝置向上平穩(wěn)運動，從而使碳化硅單晶體生長裝置具有了保持籽晶所在的溫區(qū)穩(wěn)定，晶體生長速度塊的效果。??