一種溝槽式柵極IGBT結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202121735088.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN215731729U | 公開（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215731729U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-01 |
| 分類號(hào) | H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王丕龍;王新強(qiáng);楊玉珍;張永利;劉文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢聚信匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉丹 |
| 地址 | 266000山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號(hào)10號(hào)樓7樓713室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種溝槽式柵極IGBT結(jié)構(gòu)，基板的表面開設(shè)有環(huán)形槽，環(huán)形槽的內(nèi)部設(shè)置有鉛環(huán)，元胞包括n型襯底，n型襯底的底部設(shè)置有p+集電極，p+集電極的底部設(shè)置有集電極金屬，n型襯底的頂部設(shè)置有p型阱，p型阱的頂部依次設(shè)置有p+型短路區(qū)和n+發(fā)射區(qū)，n型襯底的頂部開設(shè)有溝槽，溝槽位于n+發(fā)射區(qū)，溝槽的內(nèi)壁設(shè)置有柵極氧化層，柵極氧化層上設(shè)置有柵極多晶層，柵極多晶層的頂部設(shè)置有氧化層，解決了目前溝槽式柵極IGBT結(jié)構(gòu)存在的內(nèi)部的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致硅片碎片率增加、芯片良率低的問題以及在進(jìn)行離子注入的過程中溝槽的側(cè)壁經(jīng)常出現(xiàn)包括注入損傷以及注入雜質(zhì)散射造成的溝道表面濃度波動(dòng)的問題，導(dǎo)致IGBT器件性能發(fā)生變化的問題。 |
