一種溝槽式柵極IGBT結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110858143.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113555426A 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN113555426A 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王丕龍;王新強;楊玉珍;張永利;劉文 申請（專利權）人 青島佳恩半導體有限公司
代理機構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 劉丹
地址 266000山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號10號樓7樓713室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種溝槽式柵極IGBT結(jié)構(gòu)及其制作方法，基板的表面開設有環(huán)形槽，環(huán)形槽的內(nèi)部設置有鉛環(huán)，元胞包括n型襯底，n型襯底的底部設置有p+集電極，p+集電極的底部設置有集電極金屬，n型襯底的頂部設置有p型阱，p型阱的頂部依次設置有p+型短路區(qū)和n+發(fā)射區(qū)，n型襯底的頂部開設有溝槽，溝槽位于n+發(fā)射區(qū)，溝槽的內(nèi)壁設置有柵極氧化層，柵極氧化層上設置有柵極多晶層，柵極多晶層的頂部設置有氧化層，解決了目前溝槽式柵極IGBT結(jié)構(gòu)存在的內(nèi)部的應力會導致硅片碎片率增加、芯片良率低的問題以及在進行離子注入的過程中溝槽的側(cè)壁經(jīng)常出現(xiàn)包括注入損傷以及注入雜質(zhì)散射造成的溝道表面濃度波動的問題，導致IGBT器件性能發(fā)生變化的問題。