一種高純度超薄碳化硅襯底制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010016697.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111197181B 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN111197181B 申請公布日 2021-04-30
分類號 C30B33/02;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王丕龍;王新強 申請（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 武漢聚信匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 沙莎
地址 266000 山東省青島市城陽區(qū)城陽街道長城路89號10號樓7樓713室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種高純度超薄碳化硅襯底制備方法，碳化硅制備技術(shù)領(lǐng)域，取三組等份的碳化硅原料，經(jīng)氣流粉末磨粉機破碎處理，將破碎后的碳化硅原料通過直線振動篩進行篩選，將步驟S1得到的碳化硅原料加入攪拌桶，并加入等量去離子水攪拌均勻，將三組等份的碳化硅原料裝入密封腔內(nèi)，并抽取真空、除雜后充入保護氣體，該方式解決了現(xiàn)有技術(shù)在石墨坩堝中并沒有進行分階段的進行加熱，在不同制備步驟下，如何進行分階段的二次高溫加工得技術(shù)問題，對經(jīng)過加熱的高質(zhì)量碳化硅單晶進行二次高溫快速退火加工，從而獲得的超薄碳化硅單晶襯底品質(zhì)好且加工方法簡單，效率較之現(xiàn)有技術(shù)更高。