電壓基準(zhǔn)產(chǎn)生電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922373092.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN210924312U 公開（公告）日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN210924312U 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類號(hào) G05F1/567 分類 -
發(fā)明人 朱樂永 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯圣電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201616 上海市松江區(qū)小昆山鎮(zhèn)山西路10號(hào)1號(hào)房404室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種電路面積小、功耗小且工作電壓低的電壓基準(zhǔn)產(chǎn)生電路，屬于電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括Trim電路和n個(gè)串聯(lián)連接NMOS管，Trim電路用于調(diào)節(jié)由n個(gè)NMOS管組成的NMOS管的總寬長(zhǎng)比，使在設(shè)定溫度點(diǎn)時(shí)為0，第1個(gè)NMOS管的源極接地，第n個(gè)NMOS管的漏極輸入基準(zhǔn)電流，第n個(gè)NMOS管的柵漏之間的電壓為零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓VREF，T表示溫度，VGS表示NMOS管的柵源之間的電壓，n為大于2的正整數(shù)。本實(shí)用新型還可以根據(jù)常用室溫，確定n個(gè)NMOS管組成的NMOS管的總寬長(zhǎng)比，進(jìn)而省略了Trim電路，在常用室溫時(shí)使用。