電壓基準(zhǔn)產(chǎn)生電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911334086.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113093854A | 公開(公告)日 | 2021-07-09 |
申請公布號 | CN113093854A | 申請公布日 | 2021-07-09 |
分類號 | G05F1/567(2006.01)I | 分類 | 控制;調(diào)節(jié); |
發(fā)明人 | 朱樂永 | 申請(專利權(quán))人 | 上海芯圣電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 201616上海市松江區(qū)小昆山鎮(zhèn)山西路10號1號房404室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種電路面積小、功耗小且工作電壓低的電壓基準(zhǔn)產(chǎn)生電路,屬于電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域。本發(fā)明包括Trim電路和n個串聯(lián)連接NMOS管,Trim電路用于調(diào)節(jié)由n個NMOS管組成的NMOS管的總寬長比,使GS在設(shè)定溫度點(diǎn)時為0,第1個NMOS管的源極接地,第n個NMOS管的漏極輸入基準(zhǔn)電流,第n個NMOS管的柵漏之間的電壓為零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓VREF,T表示溫度,V表示NMOS管的柵源之間的電壓,n為大于2的正整數(shù)。本發(fā)明還可以根據(jù)室溫,確定n個NMOS管組成的NMOS管的總寬長比,進(jìn)而省略了Trim電路,在常用室溫時使用。 |
