一種基于MRAM的低功耗MCU電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010613440.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111796539A | 公開(公告)日 | 2020-10-20 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111796539A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-20 |
分類號(hào) | G05B19/042 | 分類 | 控制;調(diào)節(jié); |
發(fā)明人 | 朱樂永;白明方;張金弟;孫金輝;王銘義;楊磊;馬洋;印俊明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 上海芯圣電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 201600 上海市松江區(qū)小昆山鎮(zhèn)山西路10號(hào)1號(hào)房404室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種基于MRAM的低功耗MCU電路,包括,MRAM存儲(chǔ)器;CPU;低壓差線性穩(wěn)壓器電路,包括參考電壓輸入端口、輸出端子、輸入端子、誤差放大器、功率PMOS、反饋電阻、電容,輸出端子連接功率PMOS的漏極、反饋電阻和電容,輸入端子連接功率管的源極,誤差放大器的輸出連接功率PMOS的柵極,反饋電阻連接誤差放大器的一個(gè)輸入端,參考電壓輸入端口連接誤差放大器的另一個(gè)輸入端;功率PMOS寬長比為500um/0.7um?2000um/0.7um,電容為0.05nF?0.5nF;低壓差線性穩(wěn)壓器電路連接MRAM存儲(chǔ)器和CPU,并為MRAM存儲(chǔ)器和CPU供電,MRAM存儲(chǔ)器連接CPU;本發(fā)明提供了一種功耗低、面積小的MCU電路。 |
