一種基于MRAM的低功耗MCU電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021240884.5 申請日 -
公開（公告）號 CN212658957U 公開（公告）日 2021-03-05
申請公布號 CN212658957U 申請公布日 2021-03-05
分類號 G05B19/042(2006.01)I 分類 控制；調節(jié);
發(fā)明人 朱樂永;白明方;張金弟;孫金輝;王銘義;楊磊;馬洋;印俊明 申請（專利權）人 上海芯圣電子股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 201600上海市松江區(qū)小昆山鎮(zhèn)山西路10號1號房404室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于MRAM的低功耗MCU電路，包括，MRAM存儲器；CPU；低壓差線性穩(wěn)壓器電路，包括參考電壓輸入端口、輸出端子、輸入端子、誤差放大器、功率PMOS、反饋電阻、電容，輸出端子連接功率PMOS的漏極、反饋電阻和電容，輸入端子連接功率管的源極，誤差放大器的輸出連接功率PMOS的柵極，反饋電阻連接誤差放大器的一個輸入端，參考電壓輸入端口連接誤差放大器的另一個輸入端；功率PMOS寬長比為500um/0.7um?2000um/0.7um，電容為0.05nF?0.5nF；低壓差線性穩(wěn)壓器電路連接MRAM存儲器和CPU，并為MRAM存儲器和CPU供電，MRAM存儲器連接CPU；本實用新型提供了一種功耗低、面積小的MCU電路。??