離子注入設(shè)備及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710712869.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109148246A 公開（公告）日 2019-01-04
申請公布號 CN109148246A 申請公布日 2019-01-04
分類號 H01J37/317;H01J37/244;H01L21/265 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何川;洪俊華;張勁;陳炯;楊勇 申請（專利權(quán)）人 上海臨港凱世通半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司;上海臨港凱世通半導(dǎo)體有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)牛頓路200號7號樓單元1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種離子注入設(shè)備及方法，該離子注入設(shè)備包括離子源、一與該真空腔相連通的加熱腔體、一氫氣供應(yīng)裝置，和偏轉(zhuǎn)元件，用于從至少部分束流中分離出摻雜源離子束流和氫離子束流；位于摻雜源離子束流傳輸路徑上的摻雜源離子束流檢測裝置和/或位于氫離子束流傳輸路徑上的氫離子束流檢測裝置，該摻雜源離子束流檢測裝置用于檢測摻雜源離子束流的電流，該氫離子束流檢測裝置用于檢測氫離子束流的電流。通過偏轉(zhuǎn)，可以通過采樣部分或者全部束流，從而得知束流中氫和摻雜源元素的比例，并且通過檢測結(jié)果來調(diào)整摻雜源的升華溫度和/或氫氣的供應(yīng)量，由此獲得較為理想的束流參數(shù)。