一種蝕刻液

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110613475.8 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN113215573A 公開(公告)日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113215573A 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) C23F1/30 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李海濤 申請(qǐng)(專利權(quán))人 肇慶微納芯材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京開陽(yáng)星知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁繼恩
地址 526200 廣東省肇慶市四會(huì)市江谷鎮(zhèn)精細(xì)化工區(qū)創(chuàng)業(yè)路1號(hào)甲類廠房編號(hào)5
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種蝕刻液,用于平板顯示制程中銀納米線透明導(dǎo)電膜的蝕刻處理,屬于金屬材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域。所述蝕刻液包含無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸、無(wú)機(jī)酸鹽、表面活性劑、助劑和去離子水,所述助劑含有苯并咪唑類化合物,其結(jié)構(gòu)式如下:其中,R1為C1?C5的直鏈或者支鏈烷烴;R2為氫、C5?C12芳環(huán)基、C5?C12單環(huán)基、C5?C12二環(huán)基或C5?C12三環(huán)基取代基;Ar為苯、萘或蒽結(jié)構(gòu)取代基。該蝕刻液能夠高效地對(duì)銀納米線透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻,同時(shí)較好地解決了金屬銀析出的問(wèn)題。