一種防止紅外激光信息泄露及電磁信息泄露的防護膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110899153.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113347864A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113347864A 申請公布日 2021-09-03
分類號 H05K9/00（2006.01）I;G02B5/00（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 金鑫;曹蕾;聞崇波;吳高其;李濤;邱曉怡;朱玉梅 申請（專利權）人 成都立鑫新技術科技有限公司
代理機構 成都天嘉專利事務所（普通合伙） 代理人 鄧小兵
地址 610200 四川省成都市中國（四川）自由貿易試驗區(qū)成都市雙流區(qū)物聯(lián)二路186號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種防止紅外激光信息泄露及電磁信息泄露的防護膜，包括：基底層；采用濺射鍍膜方式附著在基底層上的導電金屬層；采用濺射鍍膜方式附著在導電金屬層上的納米半導體層；采用濺射方式或涂覆方式附著在納米半導體層上的納米熱敏材料層；采用涂覆方式或濺射鍍膜方式附著在納米熱敏材料層上的納米紅外吸收層；粘接在納米紅外吸收層上的納米光致發(fā)光層；粘接在納米光致發(fā)光層上的安裝膠層；粘接在安裝膠層上的保護層。本發(fā)明能夠同時有效防止紅外激光信息泄露及電磁信息泄露，且針對紅外激光入侵，不僅能夠實時檢測出紅外激光入侵點在防護膜上的位置，還能夠在入侵紅外激光移走后的一段時間內肉眼觀察到入侵印記。