碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池、電池組件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110443818.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103187457A 公開(kāi)（公告）日 2013-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN103187457A 申請(qǐng)公布日 2013-07-03
分類(lèi)號(hào) H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊培;辜瓊誼;牛學(xué)鵬 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 四川尚德太陽(yáng)能電力有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)專(zhuān)利代理（香港）有限公司 代理人 無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司;四川尚德太陽(yáng)能電力有限公司
地址 214028 中國(guó)江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江南路17-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種碲化鎘（CdTe）薄膜太陽(yáng)電池、電池組件及其制備方法，屬于薄膜太陽(yáng)電池技術(shù)領(lǐng)域。該CdTe薄膜太陽(yáng)電池的所述碲化鎘層上依次形成有銅薄膜層和氮化鉬層，所述銅薄膜層和氮化鉬層用于形成位于所述背電極層與所述碲化鎘層之間的背接觸結(jié)構(gòu)。CdTe薄膜太陽(yáng)電池的制備方法中包括用于形成背接觸結(jié)構(gòu)的銅薄膜層沉積步驟和氮化鉬層沉積步驟。本發(fā)明提供的CdTe薄膜太陽(yáng)電池具有接觸電阻小、轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)，并且可以實(shí)現(xiàn)低成本地大面積制備背接觸結(jié)構(gòu)。