碲化鎘薄膜沉積的蒸發(fā)源及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110263471.8 申請日 -
公開（公告）號 CN102978573A 公開（公告）日 2013-03-20
申請公布號 CN102978573A 申請公布日 2013-03-20
分類號 C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 蔣猛;劉志強 申請（專利權）人 四川尚德太陽能電力有限公司
代理機構 中國專利代理（香港）有限公司 代理人 無錫尚德太陽能電力有限公司;四川尚德太陽能電力有限公司
地址 214028 中國江蘇省無錫市新區(qū)長江南路17－6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種碲化鎘（CdTe）薄膜沉積的蒸發(fā)源及其制備方法，屬于薄膜太陽電池技術領域。該制備方法包括以下步驟：（1）按比例混合形成包括鎘金屬粉末和碲單質(zhì)粉末的粉末混合物；（2）將所述粉末混合物平鋪于熱蒸發(fā)設備的熱蒸發(fā)源上；以及（3）在500℃至900℃的溫度條件下蒸鍍至平整的蒸發(fā)源襯底上形成碲化鎘化合物。應用該制備方法制備形成該發(fā)明的蒸發(fā)源。該制備方法和蒸發(fā)源具有成本低的特點。