制備CdTe薄膜的方法及熱蒸發(fā)設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110263460.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102978572A 公開（公告）日 2013-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102978572A 申請(qǐng)公布日 2013-03-20
分類號(hào) C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉志強(qiáng);蔣猛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川尚德太陽能電力有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國專利代理（香港）有限公司 代理人 無錫尚德太陽能電力有限公司;四川尚德太陽能電力有限公司
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江南路17－6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N制備CdTe薄膜的方法及熱蒸發(fā)設(shè)備。根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例，一種制備CdTe薄膜的方法包括：準(zhǔn)備單質(zhì)Cd和Te；將所述Cd和Te平鋪于熱蒸發(fā)設(shè)備的熱蒸發(fā)源上；對(duì)所述熱蒸發(fā)源進(jìn)行加熱，以產(chǎn)生Cd蒸汽和Te蒸汽；在所述熱蒸發(fā)設(shè)備內(nèi)的CdS襯底上形成CdTe薄膜。本申請(qǐng)通過采用價(jià)格較低的單質(zhì)原料（碲和鎘）來取代原來的化合物原料，使成本降低。同時(shí)，本申請(qǐng)將原來CdTe原料合成工藝與CdTe薄膜制備工藝結(jié)合起來，使得整個(gè)工藝流程大大簡化。