高通流能力的單向ESD保護器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010338206.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111599805A 公開（公告）日 2020-08-28
申請公布號 CN111599805A 申請公布日 2020-08-28
分類號 H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋文龍;楊玨林;張鵬;李澤宏;許志峰 申請（專利權(quán)）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機構(gòu) 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 610015四川省成都市自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)世紀城南路599號6棟5層505號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高通流能力的單向ESD保護器件及其制作方法，包括N型襯底材料，N型襯底材料正面外延有N型外延層，N型外延層內(nèi)設有帶高低不同的深淺PN結(jié)的P型擴散區(qū)，N型外延層上淀積隔離介質(zhì)層，隔離介質(zhì)層和P型擴散區(qū)外正面濺射或蒸發(fā)正面金屬區(qū)，N型襯底材料背面減薄并金屬化形成背面金屬區(qū)。步驟1）制備N型襯底材料，生長一層N型外延層；步驟2）在N型外延層102上生長一層犧牲氧化層，獲得高低不同的深淺PN結(jié)；步驟3）正面硼注入，形成P型擴散區(qū)；步驟4）：正面淀積隔離介質(zhì)層，正面光刻形成接觸孔區(qū)；步驟5）正面濺射或蒸發(fā)金屬；形成正面金屬區(qū)和背面金屬區(qū)。形成結(jié)深不同的深淺結(jié)，進而獲得更高的通流能力。??