一種低壓低電容單向ESD保護(hù)器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020649583.1 申請日 -
公開（公告）號 CN212342626U 公開（公告）日 2021-01-12
申請公布號 CN212342626U 申請公布日 2021-01-12
分類號 H01L27/02;H01L21/8222 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋文龍;楊玨琳;張鵬;李澤宏;許志峰 申請（專利權(quán)）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 610000 四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號6棟5層505號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種低壓低電容單向ESD保護(hù)器件，包括P型單晶材料、隔離介質(zhì)層、正面金屬區(qū)、背面金屬區(qū)；P型單晶材料兩側(cè)設(shè)有N型隔離區(qū)，P型單晶材料的上方設(shè)有P型調(diào)整區(qū)和N型擴(kuò)散區(qū)，P型單晶材料的下方設(shè)有P型調(diào)整區(qū)。本實(shí)用新型可以實(shí)現(xiàn)單顆芯片完成低壓低電容的單向ESD保護(hù)，封裝難度低，可靠性高。本實(shí)用新型既包括穿通型三極管又包括降容二極管。本實(shí)用新型的穿通型三極管將縱向擊穿調(diào)整為橫向擊穿，同時(shí)引入P型調(diào)整區(qū)，可以在低電壓的條件下，獲得更低的漏電流。本實(shí)用新型的降容二極管可以通過調(diào)整P型單晶材料的電阻率可以獲得需求的電容值。本實(shí)用新型以P型單晶為材料，不同于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的外延材料，從而具有制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。