超低壓觸發(fā)器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021225167.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN212750894U 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號(hào) CN212750894U 申請公布日 2021-03-19
分類號(hào) H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊玨琳;宋文龍;李澤宏;張鵬 申請（專利權(quán)）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 查鑫利
地址 610000四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號(hào)6棟5層505號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 超低壓觸發(fā)器件，包括從下到上依次為背面金屬電極、P+襯底層、N型外延層、絕緣介質(zhì)層、正面金屬層，N型外延層端面一邊到另一邊依次設(shè)P+隔離層、N+多晶硅和P型基區(qū)；P+隔離層穿通至P+襯底層；N+多晶硅、P型基區(qū)兩個(gè)區(qū)域中均設(shè)P+源區(qū)、N+源區(qū)。超低壓觸發(fā)器件的制作方法，包括如下步驟：淀積N型外延層；高溫推進(jìn)形成P+隔離層；淀積N+多晶硅，露出N型外延層；推結(jié)形成P型基區(qū)；在N+多晶硅、P型基區(qū)區(qū)域中，形成P+源區(qū)，隨后光刻注入高濃度N型雜質(zhì)形成N+源區(qū)；淀積絕緣介質(zhì)層，完成正面金屬層；淀積背面金屬電極。本發(fā)明有效減少成本及觸發(fā)電壓，擁有超低觸發(fā)電壓及強(qiáng)泄放電荷能力。??