一種低壓ESD保護器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021225257.4 申請日 -
公開（公告）號 CN212750895U 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號 CN212750895U 申請公布日 2021-03-19
分類號 H01L27/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊玨琳;宋文龍;李澤宏;張鵬 申請（專利權）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機構 南京正聯(lián)知識產權代理有限公司 代理人 查鑫利
地址 610000四川省成都市自由貿易試驗區(qū)成都高新區(qū)世紀城南路599號6棟5層505號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種低壓ESD保護器件，包括N型單晶材料層、N+多晶硅、N型基區(qū)、P型基區(qū)，N型單晶材料層上依次設置第一層隔離介質、第一金屬層、第二層隔離介質、第二金屬層，N+多晶硅、N型基區(qū)、P型基區(qū)均設于N型單晶材料層頂部，N+多晶硅內設有P+源區(qū)、N+源區(qū)，外部與N型單晶材料層之間設有熱氧化層，N型基區(qū)內設有P+源區(qū)，P型基區(qū)內依次設有P+源區(qū)、N+源區(qū)、N+源區(qū)、P+源區(qū)。本實用新型降低了芯片成本；不增加元胞尺寸，減小了芯片面積占用；通過優(yōu)化器件尺寸，超低殘壓，適用于低壓系統(tǒng)的超高速信號的防護，同時通過版圖優(yōu)化可以實現(xiàn)雙向ESD保護，為低壓系統(tǒng)的超高速信號的雙向防護提供一種解決方案。??