一種可增強(qiáng)通流能力的單向ESD保護(hù)器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111105478.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113690233A 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113690233A 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01L27/02;H01L29/06;H01L21/77 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋文龍;楊玨琳;張鵬;許志峰 申請（專利權(quán)）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 查鑫利
地址 610096 四川省成都市自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號6棟5層505號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種可增強(qiáng)通流能力的單向ESD保護(hù)器件及其制作方法，包括P型單晶材料、N+擴(kuò)散區(qū)、P+擴(kuò)散區(qū)、P擴(kuò)散區(qū)、表面鈍化層、金屬層Ⅰ、金屬層Ⅱ，其中P擴(kuò)散區(qū)在金屬層Ⅰ下方N+擴(kuò)散區(qū)至金屬層Ⅱ下方N+擴(kuò)散區(qū)之間濃度逐漸降低，本發(fā)明在P擴(kuò)散區(qū)光刻窗口的設(shè)計中，窗口的尺寸依次可以命名為：L1、L2、L3、L4、L5，窗口間距的尺寸依次可以命名為：D1、D2、D3、D4，L5>L4>L3>L2>L1，D1>D2>D3>D4，從而獲P擴(kuò)散區(qū)，從N+擴(kuò)散區(qū)（金屬層Ⅱ下方）到N+擴(kuò)散區(qū)（金屬層Ⅰ下方），P擴(kuò)散區(qū)的濃度逐漸降低，形成由左至右的內(nèi)建電場，從而可以獲得更高的通流能力，通過合理設(shè)計P擴(kuò)散區(qū)的光刻窗口尺寸，與常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明的通流能力可以比常規(guī)結(jié)構(gòu)提高20?40%。