高通流能力的單向ESD保護(hù)器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020649550.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN212342625U 公開（公告）日 2021-01-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN212342625U 申請(qǐng)公布日 2021-01-12
分類號(hào) H01L27/02;H01L29/06;H01L21/8222 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋文龍;楊玨琳;張鵬;李澤宏;許志峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 610000 四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號(hào)6棟5層505號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種高通流能力的單向ESD保護(hù)器件及其制作方法，包括N型襯底材料，N型襯底材料正面外延有N型外延層，N型外延層內(nèi)設(shè)有帶高低不同的深淺PN結(jié)的P型擴(kuò)散區(qū)，N型外延層上淀積隔離介質(zhì)層，隔離介質(zhì)層和P型擴(kuò)散區(qū)外正面濺射或蒸發(fā)正面金屬區(qū)，N型襯底材料背面減薄并金屬化形成背面金屬區(qū)。步驟1）制備N型襯底材料，生長一層N型外延層；步驟2）在N型外延層102上生長一層犧牲氧化層，獲得高低不同的深淺PN結(jié)；步驟3）正面硼注入，形成P型擴(kuò)散區(qū)；步驟4）：正面淀積隔離介質(zhì)層，正面光刻形成接觸孔區(qū)；步驟5）正面濺射或蒸發(fā)金屬；形成正面金屬區(qū)和背面金屬區(qū)。形成結(jié)深不同的深淺結(jié)，進(jìn)而獲得更高的通流能力。