一種低殘壓低電容單向ESD保護(hù)器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020652470.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212010967U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212010967U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/8228(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋文龍;楊玨琳;張鵬;李澤宏;許志峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都吉萊芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 查鑫利 |
| 地址 | 四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號(hào)6棟5層505號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低殘壓低電容單向ESD保護(hù)器件，包括N型單晶，N型單晶頂面設(shè)置三個(gè)隔離介質(zhì)層，相鄰兩個(gè)隔離介質(zhì)層之間設(shè)置正面金屬區(qū)，N型單晶內(nèi)，頂部一側(cè)設(shè)有P型擴(kuò)散區(qū)，另一側(cè)設(shè)置相連的N型接觸區(qū)、P型接觸區(qū)，P型擴(kuò)散區(qū)底部為N型調(diào)整區(qū)，頂部設(shè)相連的N型接觸區(qū)與P型接觸區(qū)，本實(shí)用新型可以在芯片面積不變、芯片加工工序不變的條件下，獲得更低的殘壓參數(shù)；通過(guò)高能注入的方式將N型調(diào)整區(qū)105由芯片表面位置調(diào)整到P型擴(kuò)散區(qū)102底部，使得殘壓參數(shù)可以獲得一定比例的降低；與常規(guī)結(jié)構(gòu)相比，在芯片面積一定的條件下，本實(shí)用新型的殘壓參數(shù)可以降低10?30%。?? |
