一種低電容低殘壓的雙向ESD保護(hù)器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111106081.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113764404A 公開（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113764404A 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/77（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋文龍;楊玨琳;張鵬;許志峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都吉萊芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 查鑫利
地址 四川省成都市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)世紀(jì)城南路599號(hào)6棟5層505號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種低電容低殘壓的雙向ESD保護(hù)器件及其制作方法，包括N型襯底材料、P型外延層、正面金屬區(qū)和背面金屬區(qū)，P型外延層頂部設(shè)有N型擴(kuò)散區(qū)b，N型擴(kuò)散區(qū)b之間設(shè)有P型擴(kuò)散區(qū)，最外側(cè)的N型擴(kuò)散區(qū)b外側(cè)設(shè)有N型擴(kuò)散區(qū)a，P型外延層頂部設(shè)有隔離介質(zhì)層。外延工藝在N型襯底材料生長一層P型外延層，生長一層犧牲氧化層，光刻形成N型擴(kuò)散區(qū)圖形，磷注入，磷推進(jìn)，形成N型擴(kuò)散區(qū)，光刻形成P型擴(kuò)散區(qū)圖形，硼注入，硼推進(jìn)，形成P型擴(kuò)散區(qū)，光刻形成N型擴(kuò)散區(qū)圖形，磷注入，磷推進(jìn)，形成N型擴(kuò)散區(qū)，正面淀積隔離介質(zhì)層，光刻形成接觸孔區(qū)，正面金屬化，背面金屬化。在背面金屬接觸基板的的時(shí)候，有利于散熱，保證產(chǎn)品的性能。