一種多源離子噴射源非原位沉積生產(chǎn)高溫超導(dǎo)帶材的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010682239.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111785443B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN111785443B 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01B13/00（2006.01）I;H01B12/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙躍;師江濤;程春生;姜廣宇;朱佳敏;金之儉 申請（專利權(quán)）人 上海超導(dǎo)科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 李佳俊;郭國中
地址 201207上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層301-15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多源離子噴射源非原位沉積生產(chǎn)高溫超導(dǎo)帶材的方法，屬于超導(dǎo)帶材的制備工藝技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：利用多源離子噴射轟擊靶材，在有雙軸織構(gòu)的緩沖層帶材經(jīng)過靶材附近，使得在緩沖層上沉積金屬氧化物的混合物形成前驅(qū)膜。前驅(qū)膜首先經(jīng)過低氧分壓環(huán)境，然后經(jīng)過較高氧分壓環(huán)境中，形成具有四方相的超導(dǎo)膜。四方相的超導(dǎo)膜經(jīng)過吸氧后，完成四方相向正交超導(dǎo)相轉(zhuǎn)變，形成具有一定載流性能的超導(dǎo)帶材。本發(fā)明中，超導(dǎo)薄膜是通過多源離子槍噴射沉積的技術(shù)方案實現(xiàn)。通過差分氧分壓技術(shù)，實現(xiàn)快速生成超導(dǎo)相和熱處理等工藝。該技術(shù)具有鍍膜效率高，薄膜生長速率快，能夠精確控制膜成分和均勻度，成本低等優(yōu)點，適用于工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。