IGBT器件的結(jié)構(gòu)及工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110804458.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113571497A 公開（公告）日 2021-10-29
申請公布號 CN113571497A 申請公布日 2021-10-29
分類號 H01L23/544（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I;G01R31/52（2020.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉軍;周宏駿;方華斌;呂浩 申請（專利權(quán)）人 上海華虹摯芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 焦健
地址 201206上海市浦東新區(qū)碧波路177號402部位401-403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT器件結(jié)構(gòu)及工藝方法，所述器件形成于半導(dǎo)體襯底中，器件具有元胞區(qū)、終端環(huán)區(qū)、漏電檢測區(qū)以及截止區(qū)；所述漏電檢測區(qū)位于終端環(huán)區(qū)與截止區(qū)之間。利用終端環(huán)區(qū)和截止區(qū)的之間的空間，設(shè)計了漏電檢測區(qū)，結(jié)合半導(dǎo)體功率器件溝槽絕緣柵晶體管的工藝，可以及時發(fā)現(xiàn)功率器件工藝中的漏電產(chǎn)生，解決了現(xiàn)有IGBT器件結(jié)構(gòu)不能及時捕捉監(jiān)控器件結(jié)構(gòu)受到磷離子污染或器件表面界面態(tài)缺陷沒有及時修復(fù)產(chǎn)生的漏電現(xiàn)象。可以有效實現(xiàn)監(jiān)控，達(dá)到及時發(fā)現(xiàn)漏電，確定漏電的大小，改善工藝。能夠判定漏電是否來自于半導(dǎo)體表面，并測試漏電的大小，進(jìn)行診斷，發(fā)現(xiàn)漏電來源進(jìn)行改善治理。提高半導(dǎo)體器件穩(wěn)定性和可靠性的目的。