IGBT器件的結(jié)構(gòu)及工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111008427.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113745328A 公開（公告）日 2021-12-03
申請公布號 CN113745328A 申請公布日 2021-12-03
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉軍;馬慶海;胡杰 申請（專利權(quán)）人 上海華虹摯芯電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 焦健
地址 201206上海市浦東新區(qū)碧波路177號402部位401-403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT器件結(jié)構(gòu)及其工藝方法，所述器件的背面金屬上方為集電區(qū)，集電區(qū)上方為場終止層，場終止層上方為基區(qū)；在所述襯底的上表面的淺層為體區(qū)，溝槽的底部位于基區(qū)中，溝槽內(nèi)填充多晶硅層形成溝槽型柵極，所述襯底的上表面覆蓋金屬層；靠近體區(qū)的基區(qū)中具有一層正面缺陷區(qū)，靠近場終止層的基區(qū)中具有一層背面缺陷區(qū)。本發(fā)明通過正面及背面的可控深度制造缺陷，控制正面及背面載流子壽命；這樣在關(guān)斷的過程中，載流子壽命有限，電流很快就下降為零。注入缺陷后，正面部分區(qū)域的電阻偏小，電流很快就上升到飽和區(qū)域，開通時間變小，在開通和關(guān)斷過程中損耗變少。