一種除去陽極氧化鋁孔道內(nèi)屏蔽層的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010193009.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111172576B 公開（公告）日 2020-05-19
申請公布號 CN111172576B 申請公布日 2020-05-19
分類號 C25D11/16(2006.01)I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 王永芝 申請（專利權(quán)）人 佛山市南海一銘金屬塑料標(biāo)牌有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成實知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳永虔
地址 528200廣東省佛山市南海區(qū)大瀝鎮(zhèn)黃岐泌沖村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種除去陽極氧化鋁孔道內(nèi)屏蔽層的方法，通過γ?氯丙基三甲基硅烷對多孔層和屏蔽的層選擇性吸附反應(yīng)，以及后續(xù)堿性腐蝕反應(yīng)能夠有效的腐蝕位于陽極氧化膜孔道底部的屏蔽層，有效提高陽極氧化基材的導(dǎo)電性。