深度相機的光源裝置和深度相機

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011331079.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112379530B 公開（公告）日 2022-06-10
申請公布號 CN112379530B 申請公布日 2022-06-10
分類號 G02B27/42（2006.01）I;G03B15/02（2021.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 王百順;李驪 申請（專利權(quán)）人 北京華捷艾米科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 100193北京市海淀區(qū)東北旺西路8號院數(shù)字山谷A區(qū)1號樓5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了了一種深度相機的光源裝置和深度相機，深度相機的光源裝置包括：垂直腔面發(fā)生激光器VCSEL陣列，用于生成并發(fā)射出待調(diào)制光束；其中，VCSEL陣列包括多個垂直腔面發(fā)生激光器；微衍射光學(xué)元件DOE陣列，用于對待調(diào)制光束進行衍射調(diào)制，輸出適用于目標應(yīng)用場景的目標類型光束；控制單元，用于接收目標類型光束對應(yīng)的控制指令，將微DOE陣列中的每一個微衍射光學(xué)元件的微結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性，控制調(diào)整為與目標類型光束相對應(yīng)的目標光學(xué)特性，以使得微DOE陣列衍射出適用于目標應(yīng)用場景的目標類型光束，使得深度相機的光源裝置可適用于多種不同的應(yīng)用場景。