一種單晶爐液口距設(shè)置方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111266358.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113913922A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN113913922A 申請(qǐng)公布日 2022-01-11
分類(lèi)號(hào) C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王新強(qiáng);張存江;羅良良 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 雙良硅材料（包頭）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 駱英靜
地址 014062內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市稀土開(kāi)發(fā)區(qū)濱河新區(qū)翠湖路35號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶爐液口距設(shè)置方法，該方法包括步驟：將設(shè)置有定位裝置的熱屏下降到單晶爐的預(yù)設(shè)位置，所述定位裝置用于定位籽晶的第一下降位置的定位裝置，所述第一下降位置與所述熱屏的下沿的距離為a；將籽晶下降至第一下降位置；將籽晶由第一下降位置繼續(xù)下降至第二下降位置，所述第二下降位置位于所述熱屏下沿以下，所述第二下降位置與所述第一下降位置的距離為L(zhǎng)，其中L＝H+a，H為液口距；將坩堝上升至坩堝內(nèi)部的硅料液面與位于第二下降位置的籽晶下端接觸，停止上升坩堝。本發(fā)明提供的單晶爐液口距設(shè)置方法通過(guò)定位裝置預(yù)先將籽晶下降至工藝要求的液口距，再上升坩堝使硅料液面與籽晶接觸，提高了液口距設(shè)置的準(zhǔn)確一致性。