一種降氧拉晶工藝和石英坩堝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111305898.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113981525A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113981525A 申請公布日 2022-01-28
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B15/02（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃晶晶;吳剛;鞠貴冬;王新強 申請（專利權(quán)）人 雙良硅材料（包頭）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 秦曉君
地址 014062內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市稀土開發(fā)區(qū)濱河新區(qū)翠湖路35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降氧拉晶工藝和石英坩堝。通過對初次投放的硅料進行化料時，通入氬氣，并通過爐壓控制控制爐壓為預(yù)設(shè)爐壓；再將爐壓控制關(guān)閉，打開主泵，復(fù)投硅料；然后再復(fù)投硅料結(jié)束后，間隔第二預(yù)設(shè)時間，將爐壓控制閉環(huán)，通過上述公開的降氧拉晶工藝，能夠加快高溫化料期間所產(chǎn)生的揮發(fā)物排出，減少SiO附著在排氣管道，避免因SiO附著在排氣管道使產(chǎn)生的SiO不能及時排出，保證排氣管道能夠順暢排氣，進而能夠減少揮發(fā)物中的SiO溶于液態(tài)硅中，降低液態(tài)硅中含氧量，避免進行氧反切，有效提高成晶率，從而提高產(chǎn)能。