一種顆粒硅的拉晶工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111307509.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114016124A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114016124A 申請公布日 2022-02-08
分類號 C30B15/02（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李海明;劉玉斌;王立平;王新強 申請（專利權）人 雙良硅材料（包頭）有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 秦曉君
地址 014062內(nèi)蒙古自治區(qū)包頭市稀土開發(fā)區(qū)濱河新區(qū)翠湖路35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種顆粒硅的拉晶工藝。向加料桶內(nèi)加顆粒硅，使顆粒硅鋪地，并向爐膛內(nèi)通入氬氣；然后將加料桶堝降至第一預設位置，將水冷屏提升至上限位置，通過加料桶向爐膛內(nèi)進行第一次顆粒硅加料，并間隔預設時間間隔，通過加料桶向爐膛內(nèi)進行N次顆粒硅加料，直至爐膛內(nèi)液體硅的重量達到預設重量，通過上述公開的拉晶工藝，能夠在通過加料桶向爐膛內(nèi)加入顆粒硅過程中，以及在顆粒硅化料過程中，均能夠有效避免液態(tài)硅濺起，進而能夠有效減小顆粒硅的引放次數(shù)，提升硅棒的生產(chǎn)效率。