一種SRAM讀寫控制方法及行緩沖控制器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111207496.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113641626B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號(hào) CN113641626B 申請公布日 2022-02-18
分類號(hào) G06F15/78（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 譚章熹;梁松海;崔魯平 申請（專利權(quán)）人 睿思芯科（深圳）技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳君信誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉偉
地址 518000廣東省深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路35號(hào)前海深港青年夢工場1棟1層105室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于SOC技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種SRAM讀寫控制方法及行緩沖控制器，所述方法包括：在策略寄存器中設(shè)定訪問域和讀寫策略；通過分配器監(jiān)控來自存儲(chǔ)訪問控制器的SRAM讀寫地址，并根據(jù)所述SRAM讀寫地址發(fā)出數(shù)據(jù)讀寫指令；通過行緩沖寄存器組根據(jù)數(shù)據(jù)讀寫指令調(diào)整行替換策略，并根據(jù)行替換策略進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出或/和寫入操作。本發(fā)明通過一種新的行緩沖控制器降低了SRAM讀寫過程中產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)功耗。