鍍膜設(shè)備及其鍍膜控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110071547.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112899630A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112899630A 申請公布日 2021-06-04
分類號 C23C14/35;C23C14/54;C23C14/46 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉偉基;冀鳴;趙剛;易洪波 申請（專利權(quán)）人 中山市博頓光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市律帆知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王園園
地址 528000 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)信息大道南33號力合科技產(chǎn)業(yè)中心加速器項(xiàng)目69棟第三層301單元（住所申報(bào)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種鍍膜設(shè)備及其鍍膜控制方法，所述鍍膜設(shè)備，包括：至少一個(gè)霍爾離子源以及磁控濺射陰極；其中，磁控濺射陰極與霍爾離子源相鄰布置且發(fā)射口位置平行；在工作時(shí)，磁控濺射陰極的靶材產(chǎn)生材料粒子和電子，電子運(yùn)動至霍爾離子源，霍爾離子源的陽極利用電子激活工作氣體，產(chǎn)生離子源離子；利用磁控濺射陰極產(chǎn)生的材料粒子與霍爾離子源產(chǎn)生的離子源離子對基片進(jìn)行鍍膜；該技術(shù)方案，既充分利用了多余的電子，簡化了霍爾離子源的結(jié)構(gòu)，同時(shí)通過引入霍爾離子源的離子磁控濺射陰極的鍍膜提供了更好的協(xié)助，特別是應(yīng)用在加工氧化物的時(shí)候，產(chǎn)生比等離子能量更大的離子，加強(qiáng)了氧化效果，提升了鍍膜效果。