一種阻變式存儲(chǔ)陣列及存儲(chǔ)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111017816.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113470713A | 公開（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113470713A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | G11C13/00（2006.01）I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
| 發(fā)明人 | 許天輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京新憶科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張夢(mèng)瑤 |
| 地址 | 100083北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路18號(hào)A1608 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N阻變式存儲(chǔ)陣列及存儲(chǔ)器，涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。其中，該存儲(chǔ)陣列包括p×q個(gè)存儲(chǔ)單元、第一位線選擇電路和n個(gè)全局位線，所述第一位線選擇電路包括q個(gè)選擇開關(guān)組，每個(gè)所述選擇開關(guān)組包括n個(gè)選擇開關(guān)；所述存儲(chǔ)單元包括晶體管和n個(gè)可變電阻，其中，n為大于1的正整數(shù)；其中，所述晶體管的柵極與字線連接，源極與源線連接，漏極分別與n個(gè)所述可變電阻的第一端連接，位于同一列的每個(gè)所述存儲(chǔ)單元的第i個(gè)可變電阻的第二端均連接至第i位線，第j列的第i位線分別與第j個(gè)選擇開關(guān)組的第i個(gè)選擇開關(guān)連接。本申請(qǐng)通過(guò)在存儲(chǔ)陣列中設(shè)置第一位線選擇開關(guān)，避免了存儲(chǔ)器在讀寫操作時(shí)未選中存儲(chǔ)單元對(duì)選中存儲(chǔ)單元的干擾。 |
