非揮發(fā)性存儲(chǔ)內(nèi)存及其存儲(chǔ)單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910630706.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN110415747A 公開(kāi)(公告)日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110415747A 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類(lèi)號(hào) G11C11/412;G11C11/417;G11C13/00 分類(lèi) 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 吳瑞仁;王坤 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 北京新憶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 張潤(rùn)
地址 100084 北京市海淀區(qū)中關(guān)村智造大街D棟315
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)內(nèi)存及其存儲(chǔ)單元,存儲(chǔ)單元包括:鎖存電路,其具有第一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)和第二儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn);互補(bǔ)式位源線對(duì),其包括第一位源線和第二位源線;字符線;第一傳輸模塊,第一端與第一位源線相連,第二端與第一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)相連,控制端與字符線相連;第二傳輸模塊,第一端與第二位源線相連,第二端與第二儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)相連,控制端與字符線相連;儲(chǔ)存字符線;儲(chǔ)存模塊,第一存儲(chǔ)單元包括電阻和第一晶體管,第一晶體管串聯(lián)于第一傳輸模塊的第二端與第一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)之間,第一晶體管的控制端與儲(chǔ)存字符線相連,電阻與第一晶體管并聯(lián)連接,第一晶體管的控制端在儲(chǔ)存字符線的控制下開(kāi)啟或關(guān)斷,由此,可以有效降低存儲(chǔ)消耗的能量,實(shí)現(xiàn)低功耗。