用于外延沉積III-V材料層的反應腔

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320346387.7 申請日 -
公開（公告）號 CN203346471U 公開（公告）日 2013-12-18
申請公布號 CN203346471U 申請公布日 2013-12-18
分類號 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃允文 申請（專利權）人 光壘光電科技（上海）有限公司
代理機構 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 代理人 楊林;馬翠平
地址 200050 上海市長寧區(qū)延安西路889號1106B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導體制作技術設備，用于外延沉積III-V材料層的反應腔，包括：腔體；設置于所述腔體底部的加熱器；設置于所述加熱器上方的襯底托盤；以及設置于所述腔體頂部的噴淋頭，所述反應腔還包括位移裝置，以及設置于所述噴淋頭與所述襯底托盤之間的吸熱板；所述位移裝置用于調整所述吸熱板與噴淋頭之間的距離以控制所述吸熱板面向所述加熱器一側表面的溫度，所述噴淋頭向所述吸熱板與所述襯底托盤之間所限定的反應區(qū)輸出反應氣體。本實用新型使噴淋頭與吸熱板之間的距離可調，使得反應氣體的出氣面溫度可控。