用于外延沉積III-V材料層的反應(yīng)腔

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320347098.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN203346472U 公開（公告）日 2013-12-18
申請公布號(hào) CN203346472U 申請公布日 2013-12-18
分類號(hào) C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李王俊;葉芷飛 申請（專利權(quán)）人 光壘光電科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊林;馬翠平
地址 200050 上海市長寧區(qū)延安西路889號(hào)1106B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)設(shè)備，是一種用于外延沉積III-V材料層的反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔包括：腔體；設(shè)置于所述腔體底部的加熱器；位于所述加熱器上方的襯底托盤；以及設(shè)置于所述腔體頂部，并與所述襯底托盤相對設(shè)置的噴淋頭，所述噴淋頭與所述襯底托盤之間限定為反應(yīng)區(qū)，所述噴淋頭用于往所述反應(yīng)區(qū)噴射反應(yīng)氣體；所述噴淋頭包括III族源擴(kuò)散腔、V族源擴(kuò)散腔和油冷卻腔，所述III族源擴(kuò)散腔和所述V族源擴(kuò)散腔設(shè)置在所述油冷卻腔背離所述加熱器的一側(cè)。本實(shí)用新型能擴(kuò)大沉積氣源的輸出溫度范圍內(nèi)調(diào)整，可避免沉積氣源在噴淋頭出氣面上形成疏松沉積物而容易脫落污染襯底，能適應(yīng)現(xiàn)有工藝要求。