進(jìn)氣裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320504645.X 申請日 -
公開（公告）號 CN203653689U 公開（公告）日 2014-06-18
申請公布號 CN203653689U 申請公布日 2014-06-18
分類號 C23C16/455(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 譚華強(qiáng);喬徽;林翔;蘇育家 申請（專利權(quán)）人 光壘光電科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭瑋
地址 200050 上海市長寧區(qū)延安西路889號1106B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種進(jìn)氣裝置。包括層疊設(shè)置的主體部分和熱壁層，所述主體部分包括第一氣體腔室，所述主體部分和熱壁層之間的區(qū)域構(gòu)成第二氣體腔室，所述第一氣體腔室具有第一氣體管路、所述第二氣體腔室具有第二氣體管路，所述第一氣體管路和第二氣體管路的出氣口之間引入有隔離氣體。相比而言，本實(shí)用新型能夠吸收由進(jìn)氣裝置下方的托盤產(chǎn)生的熱量，使得在進(jìn)氣裝置下表面的預(yù)反應(yīng)生成的顆粒會變得致密，不容易脫落到托盤上而形成顆粒沾污；而且，第一氣體管路和第二氣體管路的出氣口之間引入有隔離氣體，能夠減少或避免在熱壁層處發(fā)生預(yù)反應(yīng)，既能夠減少顆粒污染的產(chǎn)生，又能夠提高反應(yīng)氣體的利用率。