一種帶有內(nèi)加熱器的PECVD系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910158204.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101962759B 公開（公告）日 2012-07-25
申請公布號 CN101962759B 申請公布日 2012-07-25
分類號 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 吳文基;鄭澤文;劉麗娟 申請（專利權(quán)）人 深圳市宇光高科新能源技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京安博達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐國文
地址 518116 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道龍平西路鵬利泰工業(yè)區(qū)C棟二、三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種帶有內(nèi)加熱器的PECVD系統(tǒng)，包括真空室和置于真空室內(nèi)的可移式等離子箱，所述真空室的外周四壁上設(shè)有加熱板，所述可移式等離子箱至少為兩個(gè)，各可移式等離子箱平行排列于真空室內(nèi)，各可移式等離子箱之間設(shè)有用于使真空室內(nèi)均勻受熱的內(nèi)加熱器。此裝置大大提高了單室沉積系統(tǒng)的產(chǎn)量，又避免傳統(tǒng)加熱方式造成的溫度分布不均衡問題，本發(fā)明有效解決了在帶有TCO的玻璃襯底上沉積的硅基薄膜的厚度不均勻性，提高了大面積硅基薄膜太陽電池的性能，為研發(fā)大面積PECVD薄膜沉積系統(tǒng)奠定了基礎(chǔ)，有力推動硅薄膜電池技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。