一種噴淋板及包含該噴淋板的等離子箱

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320004796.9 申請日 -
公開（公告）號 CN203187752U 公開（公告）日 2013-09-11
申請公布號 CN203187752U 申請公布日 2013-09-11
分類號 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 吳文基;鄭澤文;劉麗娟 申請（專利權(quán)）人 深圳市宇光高科新能源技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京安博達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳市宇光高科新能源技術(shù)有限公司
地址 518117 廣東省深圳市龍崗區(qū)坪地高橋格坑工業(yè)園3棟2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種噴淋板和包含該噴淋板的等離子箱，噴淋板的主體為不銹鋼板，不銹鋼板的下板面上開設(shè)有凹槽，凹槽包括交替設(shè)置的激發(fā)電極凹槽和接地電極凹槽；不銹鋼板上設(shè)有位于凹槽兩側(cè)且貫穿不銹鋼板上、下板面的通孔。該等離子箱包括噴淋板，蓋板以及交替布置的N個激發(fā)電極和N+1個接地電極，N為整數(shù)；最外側(cè)的兩個接地電極作為等離子箱的側(cè)板，各相鄰的電極之間形成放電區(qū)；激發(fā)電極和接地電極的頂部、底部分別設(shè)有一公共的噴淋板；位于頂部的噴淋板頂端設(shè)有一底部開口的中空狀蓋板，并與蓋板組成半封閉式腔體，蓋板上設(shè)有進(jìn)氣口。該噴淋板能改善大面積等離子箱放電區(qū)中工作氣體壓力分布的均勻性，進(jìn)而提高沉積薄膜厚度的均勻性。