硅碳負(fù)極極片及其制備方法與應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110430746.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113346050A | 公開(公告)日 | 2021-09-03 |
申請公布號 | CN113346050A | 申請公布日 | 2021-09-03 |
分類號 | H01M4/1395(2010.01)I;H01M4/134(2010.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/587(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 趙小歡;劉馮新;婁永文;李奎;張明杰 | 申請(專利權(quán))人 | 昆山聚創(chuàng)新能源科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 林青中 |
地址 | 215333江蘇省蘇州市昆山市昆山開發(fā)區(qū)蓬溪中路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種硅碳負(fù)極極片的制備方法,首先將多孔硅與有機(jī)碳氮源等制備成漿料涂覆在集流體的表面,再進(jìn)行熱解處理,在集流體的表面原位生成氮摻雜的硅碳材料,形成硅碳負(fù)極極片,避免了將硅碳材料制備成漿料然后涂覆在集流體的表面這一過程中對硅碳材料的結(jié)構(gòu)和形貌的破壞,并且氮摻雜的硅碳材料由于氮元素的摻雜,提升了硅碳負(fù)極極片的電子傳導(dǎo)性和離子傳導(dǎo)性,對涂布極片在保護(hù)性氣體氛圍下熱解處理,將有機(jī)碳氮源碳化,同時也避免了負(fù)極集流體發(fā)生氧化。該制備方法得到的硅碳負(fù)極極片,硅碳材料的結(jié)構(gòu)形貌均一性好,極片充放電過程的體積變化小,循環(huán)性能良好,在循環(huán)1000圈后容量保持率仍在84%以上。 |
