半導體器件及芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201920301065.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN209515676U | 公開(公告)日 | 2019-10-18 |
申請公布號 | CN209515676U | 申請公布日 | 2019-10-18 |
分類號 | H01L29/78(2006.01)I; H01L29/423(2006.01)I; H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 賴海波; 朱開興; 丘榮貴; 賴思佳 | 申請(專利權)人 | 龍巖市龍盛融資擔保有限責任公司 |
代理機構 | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 福建龍夏電子科技有限公司 |
地址 | 364012 福建省龍巖市新羅區(qū)東肖鎮(zhèn)曲潭路15號龍巖市科技創(chuàng)業(yè)園一號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種半導體器件及芯片,該器件包括:位于襯底內的終端溝槽柵結構和若干元胞溝槽柵結構;所述終端溝槽柵結構具有沿設定方向間隔排列的若干環(huán)形側表面;若干所述元胞溝槽柵結構分別位于若干所述環(huán)形側表面的內側,且每一所述終端溝槽柵結構的環(huán)形側表面與對應內側的元胞溝槽柵結構的側表面以恒定間距同心設置。本實用新型的技術方案解決了現有分裂柵溝槽型MOSFET的溝槽柵結構間距不能保持一致導致電參數一致性差的問題。 |
