一種激光直接成像設(shè)備正反面成像對位誤差的檢測方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910100091.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109597283B | 公開(公告)日 | 2021-08-13 |
申請公布號 | CN109597283B | 申請公布日 | 2021-08-13 |
分類號 | G03F7/20;G03F9/00;G01B11/03 | 分類 | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 尤勇;嚴孝年;楊坤倫 | 申請(專利權(quán))人 | 合肥芯碁微電子裝備股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 苗娟;奚華保 |
地址 | 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道2800號創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期F3樓11層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明的一種激光直接成像設(shè)備正反面成像對位誤差的檢測方法,可解決現(xiàn)有的檢測方法效率低下而且檢測精度低的技術(shù)問題。包括S10、向產(chǎn)品的A面圖形邊緣添加對位檢測標記MARK?A;S20、向產(chǎn)品的B面圖形邊緣添加對位檢測標記MARK?B,MARK?A與MARK?B中心對齊;S30、向產(chǎn)品基板的對稱兩板邊固定兩條與基板等厚度的透明材質(zhì);S40、安裝并調(diào)試基板;S50、對基板A面進行曝光成像;S60、對基板進行左右翻版;S70、對基板B面進行曝光成像;S80、CCD圖像處理系統(tǒng)抓取MARK?A中心坐標;S90、CCD圖像處理系統(tǒng)抓取MARK?B中心坐標;S100、計算MARK?A與MARK?B中心坐標誤差值。本發(fā)明省去了化學(xué)顯影化學(xué)蝕刻化學(xué)退膜和X?Ray照射、顯微鏡測量等步驟,提高了檢測效率和準確性。 |
