無(wú)摻雜元素的高純半絕緣碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201521078544.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN205313717U 公開(kāi)（公告）日 2016-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN205313717U 申請(qǐng)公布日 2016-06-15
分類號(hào) C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王利忠;李斌;王英民;魏汝省;毛開(kāi)禮;徐偉;戴鑫;馬康夫;周立平;付芬;田牧;侯曉蕊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 太原藝星科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 山西科貝律師事務(wù)所 代理人 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所;山西爍科新材料有限公司
地址 030024 山西省太原市和平南路115號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種無(wú)摻雜元素的高純半絕緣碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置，解決了低雜質(zhì)的高純碳化硅晶體生產(chǎn)的難題。包括高純石墨坩堝（2），在高純石墨坩堝（2）的外側(cè)面上設(shè)置有石墨氈保溫層（7），在石墨氈保溫層（7）上分別設(shè)置有下測(cè)溫孔（8）和上測(cè)溫孔（9），在高純石墨坩堝（2）的內(nèi)腔頂部設(shè)置有石墨托（1），在石墨托（1）上設(shè)置有籽晶（4），在籽晶（4）上設(shè)置有生長(zhǎng)后的碳化硅晶體（5），在高純石墨坩堝（2）的腔內(nèi)下部設(shè)置有SiC高純粉料（3），在石墨托（1）與高純石墨坩堝（2）的內(nèi)腔內(nèi)側(cè)壁之間設(shè)置有小孔（6）。本實(shí)用新型目的通過(guò)降低背景中的雜質(zhì)元素濃度來(lái)獲得高純碳化硅晶體。