一種SiC單晶生長設備中坩堝獨立旋轉機構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201521060739.8 申請日 -
公開（公告）號 CN205313716U 公開（公告）日 2016-06-15
申請公布號 CN205313716U 申請公布日 2016-06-15
分類號 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 毛開禮;郎鵬;李斌;王英民;周立平;戴鑫;侯曉蕊;王利忠 申請（專利權）人 太原藝星科技有限公司
代理機構 山西科貝律師事務所 代理人 中國電子科技集團公司第二研究所;山西爍科新材料有限公司
地址 030024 山西省太原市和平南路115號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種SiC單晶生長設備中坩堝獨立旋轉機構，解決了SiC單晶形貌、質量不均勻的問題。包括下法蘭盤（9），在下法蘭盤（9）的頂面上固定設置有外保溫支撐架（6），在外保溫支撐架（6）上固定設置有坩堝的外保溫層（7），在外保溫層（7）中活動設置有桶型坩堝（11），在桶型坩堝（11）的頂面上設置有上保溫層（8），在桶型坩堝（11）的下底面上設置有下保溫層（10），在下保溫層（10）的下底面上連接有桶型坩堝支架（5），在下法蘭盤（9）上設置有電機（1），在電機（1）的輸出軸上連接有主動齒輪（3），在桶型坩堝支架（5）上設置有環(huán)形齒條（4），主動齒輪（3）與環(huán)形齒條（4）嚙合在一起的。有效地提升了溫場結構對稱性。