一種集成芯片及其制作方法和集成電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110995384.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113782529A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782529A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L27/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 樊永輝;許明偉;樊曉兵 申請（專利權(quán)）人 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市博衍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 曾新浩
地址 518000廣東省深圳市華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N集成芯片及其制作方法和集成電路。集成芯片包括：硅襯底、基于硅半導(dǎo)體的開關(guān)控制電路、砷化鎵外延結(jié)構(gòu)和基于砷化鎵的開關(guān)電路；所述硅襯底被劃分為硅器件區(qū)域和砷化鎵器件區(qū)域；基于硅半導(dǎo)體的開關(guān)控制電路設(shè)置在硅襯底上，對應(yīng)設(shè)置在所述硅器件區(qū)域；砷化鎵外延結(jié)構(gòu)設(shè)置在硅襯底上，對應(yīng)所述砷化鎵器件區(qū)域；以及基于砷化鎵的開關(guān)電路設(shè)置在砷化鎵外延結(jié)構(gòu)上；所述基于硅半導(dǎo)體的開關(guān)控制電路與所述基于砷化鎵的開關(guān)電路通過金屬互聯(lián)；所述基于砷化鎵的開關(guān)電路包括砷化鎵高電子遷移率晶體管，可以將基于硅半導(dǎo)體的開關(guān)控制電路和基于砷化鎵的開關(guān)電路集成到一個(gè)芯片上，實(shí)現(xiàn)更高的集成度、更小的器件面積、更低的制作成本以及更好的性能。