半導體器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111077008.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113903664A 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN113903664A 申請公布日 2022-01-07
分類號 H01L21/335（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李海濱;許明偉;樊曉兵 申請（專利權(quán)）人 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 熊永強
地址 518035廣東省深圳市福田區(qū)華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導體器件的制備方法及其結(jié)構(gòu)，該方法包括：在襯底上制備緩沖層，并在緩沖層上由下而上依次外延形成第一薄膜層和第二薄膜層；在第二薄膜層的上表面由下而上依次沉積第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；通過光刻和刻蝕工藝將第二介質(zhì)層制備為第一結(jié)構(gòu)，第一結(jié)構(gòu)用于制備半導體器件的柵極；以第一結(jié)構(gòu)為掩膜刻蝕第一介質(zhì)層，并停止在第二薄膜層的上表面以形成源漏區(qū)域，源漏區(qū)域位于第一結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，源漏區(qū)域用于制備半導體器件的源漏極，從而通過第一結(jié)構(gòu)中的刻蝕后的第二介質(zhì)層、第一介質(zhì)層和第二薄膜層形成一個在第一方向上的三明治結(jié)構(gòu)，并通過該三明治結(jié)構(gòu)中各層的厚度關(guān)系實現(xiàn)控制或縮小柵極的制備尺寸。