單晶氮化鋁薄膜及其制作方法、體聲波濾波器的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110992773.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114000199A 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN114000199A 申請公布日 2022-02-01
分類號 C30B29/40（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B25/00（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I;C30B31/22（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/56（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 樊永輝;許明偉;樊曉兵 申請（專利權(quán)）人 深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市博衍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 曾新浩
地址 518000廣東省深圳市華富街道蓮花一村社區(qū)皇崗路5001號深業(yè)上城（南區(qū)）T2棟2701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種單晶氮化鋁薄膜及其制作方法、體聲波濾波器的制作方法，單晶氮化鋁薄膜的制作方法包括步驟：提供一襯底；在所述襯底上形成單晶含有鋁和氮的三元或多元化合物薄膜；通過離子注入方式對單晶含有鋁和氮的三元或多元化合物薄膜進(jìn)行金屬摻雜；形成摻雜的單晶氮化鋁薄膜。通過上述方案以提供一種高品質(zhì)摻雜的單晶氮化鋁薄膜作為體聲波濾波器的壓電層，以提高濾波器的帶寬。